10月14日报道，中美科学家携手合作，为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称，他们在一个超高真空腔内，分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面，种植出了两类拓扑绝缘体材料，并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国物理联合会学术期刊《AIP Advances》上。

　　拓扑绝缘体是一种具有新奇量子特性的物质状态，为近几年来物理学的重要科学前沿之一。从理论上分析，这类材料的内部是一个绝缘体，会阻碍电荷的流动；但其表面则像一个非常高效的电导体，使电子不会偏离其行进方向。

　　该研究的通讯作者、北京大学量子材料科学中心研究员、博士生导师王健(音译)表示：“拓扑绝缘体所拥有的这种属性使其能在未来用于超高速、能量不散逸的计算机内，这种计算机内的大量信息将被量子通道内的电子所运载，避免目前计算机中电子散射导致的芯片过热、数据流被破坏以及操作速度减慢的困扰。”